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天津科億維(多圖)-KPEL-M系列低電壓高電流直流電子負(fù)載

電子負(fù)載是通過(guò)控制和調(diào)整跨接在其輸入端的FET功率場(chǎng)效應(yīng)管RDS，似乎將多臺(tái)電子負(fù)載串聯(lián)應(yīng)該沒(méi)有什么大問(wèn)題。如圖2所示，假如我們將兩臺(tái)串聯(lián)的電子負(fù)載都設(shè)置為CC模式，而且設(shè)置為完全相同的電流值，譬如都設(shè)置為10.00A。但實(shí)際上電子負(fù)載不可能是的10.00A，如果其中一臺(tái)實(shí)際為9.99A，而另外一臺(tái)為10.01A。這樣一來(lái)，電子負(fù)載2就不可能達(dá)到其設(shè)置值，因此，它就不停的減小FET的RDS直到0（短路），這樣所有的電壓就全部加載到電子負(fù)載1上使得它過(guò)壓損壞。

　　也有人建議兩臺(tái)電子負(fù)載分別工作于恒流CC模式和恒壓CV模式，而且這似乎可以實(shí)現(xiàn)設(shè)定電壓、電流點(diǎn)的工作狀態(tài)。但是如何讓這兩臺(tái)電子負(fù)載進(jìn)入到設(shè)定的CC及CV工作點(diǎn)？

　　假設(shè)我們先設(shè)定好電子負(fù)載，然后再將負(fù)載連接到被測(cè)電源，設(shè)定于CC模式的電子負(fù)載因?yàn)闆](méi)有任何電流，因此將FET的RDS設(shè)置為0（短路）；而設(shè)定于CV模式的電子負(fù)載因?yàn)闆](méi)有任何電壓，將FET的RDS設(shè)置為+∞

　　（開(kāi)路）。所以在電源接入的瞬間，電源上的所有電壓100V都加載到CV模式的負(fù)載上，就可能損壞。

在三相交流負(fù)載與交流干式負(fù)載倆者之間，區(qū)別并不是很大，主要區(qū)別還是他們的精度和功能不一樣，這也導(dǎo)致他們的應(yīng)用也不一樣，因此我們選擇負(fù)載時(shí)需要考慮測(cè)試什么設(shè)備，避免無(wú)效采購(gòu)。

　　三相交流負(fù)載測(cè)試箱，新設(shè)備模擬諧振，諧振后感應(yīng)電流=容性電流=阻性電流，Q值為1，即使電源處于非均壓狀態(tài)，也能準(zhǔn)確、快速地調(diào)試出諧振的每一步，更適合測(cè)試相應(yīng)的變頻器產(chǎn)品。目前，在變頻器制造、研發(fā)、認(rèn)證機(jī)構(gòu)、大學(xué)機(jī)電系辦公室和相關(guān)行業(yè)的日常檢測(cè)服務(wù)中，都有大量投入使用。

直流電子負(fù)載是一種可以對(duì)輸出的電壓或電流進(jìn)行設(shè)置的電源設(shè)備，它主要被用于測(cè)試和測(cè)量目的。它可以模擬電池或其他可變電阻器的特性來(lái)進(jìn)行準(zhǔn)確的校準(zhǔn)或者檢測(cè)損壞元件的問(wèn)題等操作步驟,輸出端的微小變化會(huì)被放大很多倍后去觀察.
這種設(shè)備的優(yōu)點(diǎn)是可以提供高精度、穩(wěn)定的功率來(lái)控制電路板上的組件參數(shù)并對(duì)其進(jìn)行調(diào)整和分析；可以設(shè)置不同的工作模式以滿(mǎn)足不同需求的要求;還可以通過(guò)數(shù)字方式顯示實(shí)際值并進(jìn)行鎖定以確保數(shù)據(jù)的準(zhǔn)確性以及安全性等等特點(diǎn)獲得了廣大消費(fèi)者的青睞.。